[发明专利]固体电解电容器元件的制造方法有效
申请号: | 201580037531.0 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN106575576B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 内藤一美;矢部正二 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028;H01G9/00;H01G9/052 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘航;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种固体电解电容器元件的制造方法,其特征在于,依次包括以下工序:烧结工序,该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体;化学转化工序,该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层;半导体层形成工序,该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中,使所述单体聚合,来形成由导电性高分子构成的半导体层;和导电体层形成工序,该工序在所述阳极体上形成导电体层,在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。根据本发明,能够生产率良好地制造未密封等的不良品少的固体电解电容器。 | ||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固体电解电容器元件的制造方法,其特征在于,依次包括以下工序:烧结工序,该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体;化学转化工序,该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层;半导体层形成工序,该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中,使所述单体聚合,来形成由导电性高分子构成的半导体层;和导电体层形成工序,该工序在所述阳极体上形成导电体层,在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。
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