[发明专利]高电流、低切换损耗SiC功率模块有效
| 申请号： | 201580037680.7 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN106537586B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 姆里纳尔·K·达斯;亨利·林;马塞洛·舒普巴赫;约翰·威廉斯·帕尔穆尔 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率模块包括具有内部腔室的壳体和安装在壳体的内部腔室内的多个切换模块。切换模块互相连接并被配置为促进切换到负载的功率。切换模块中的每个包括至少一个晶体管和至少一个二极管。至少一个晶体管和至少一个二极管可以由宽带隙材料系统(诸如碳化硅(SiC))形成，从而当相比于常规功率模块时，允许该功率模块在高频率以及更低切换损耗下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 切换 损耗 sic 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种功率模块，包括：·壳体，具有内部腔室；以及·多个切换模块，安装在所述内部腔室内并互相连接以促进切换到负载的功率，其中，所述多个切换模块中的每个包括至少一个晶体管和至少一个二极管，并且所述功率模块能够阻断1200伏特、传导300安培并且具有小于20毫焦耳的切换损耗。
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