[发明专利]用于制备用于微组装的GaN及相关材料的系统及方法

摘要

所揭示技术大体来说涉及一种用于微组装GaN材料及装置以形成使用小LED与高功率、高电压及/或高频率晶体管及二极管的阵列的显示器及照明组件的方法及系统。GaN材料及装置可通过外延而形成在蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝或硅衬底上。所述所揭示技术提供用于制备用于微组装的至少部分地形成在那些同质衬底中的数者上的GaN材料及装置的系统及方法。

主权项

一种从硅同质衬底制备经释放或可释放结构的方法，所述方法包括：在包括Si(111)的衬底上沉积选自由以下各项组成的群组的一或多个成员：GaN、AlGaN、InGaN、InGaAlN及SiN，借此形成外延材料；使用所述外延材料在所述衬底上形成装置；在所述外延材料中将包括所述装置的可释放结构划界，借此部分地暴露所述衬底；形成锚定结构及拴系结构，使得在所述衬底与蚀刻剂接触之后所述可释放结构通过所述锚定结构及拴系结构将所述装置连接到所述衬底；用蚀刻剂将在所述可释放结构下方的硅材料移除，借此形成包括所述装置的可印刷结构，其中通过所述系链结构及锚结构维持所述可印刷结构的空间定向；及将所述衬底及通过锚定结构及/或拴系结构连接到所述衬底的所述可印刷结构暴露于一或多种化学试剂以用于调节所述经释放结构的新暴露的表面。