[发明专利]用于光电子学和光子学应用的超薄的掺杂的贵金属膜有效
| 申请号： | 201580037756.6 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107077906B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郭凌杰;张诚 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了导电的薄的光滑膜，其包含银(Ag)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。在其他替代变化方案中，提供了导电的薄的光滑膜，其包含金(Au)或铜(Cu)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。这种材料具有优良的导电性，可以是超薄的、柔性的、透明的，并且具有低光损耗。还提供了并入有这种膜的组合件和制造该膜的方法。这些组合件可以用于具有高功率转化效率的光伏和发光器件或者表现出高透射率和均匀响应的光学超材料，等等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子学 光子 应用 超薄 掺杂 贵金属 | ||
【主权项】：
一种导电的薄膜，包含大于或等于所述薄膜总组成的约80原子％的银(Ag)，以及以大于所述薄膜总组成的0原子％且小于或等于所述薄膜总组成的约20原子％存在的选自以下的导电金属：铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)及其组合，其中所述薄膜的厚度小于或等于约50nm并且具有光滑表面。
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