[发明专利]半导体基板和半导体基板的制造方法

摘要

本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。

主权项

1.一种半导体基板的制造方法，是具备第1半导体层和与所述第1半导体层相接的第2半导体层的半导体基板的制造方法，其特征在于，具备如下工序：照射工序，在真空中对所述第1半导体层的表面照射1种以上的第1杂质，并且在真空中对所述第2半导体层的表面照射所述1种以上的第1杂质；接合工序，在进行了所述照射工序的真空中，将所述第1半导体层的表面和所述第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板；以及热处理工序，对所述接合工序中所生成的所述半导体基板进行热处理，所述第1杂质为不使所述第1半导体层和所述第2半导体层产生载流子的非活性的杂质，所述热处理以所述第1半导体层和所述第2半导体层的所述接合界面的附近的区域进行再结晶化的方式进行，所述接合界面的附近的区域所含的所述第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施所述热处理前相比实施后变窄。