[发明专利]晶体管、显示装置和电子设备

摘要

本公开的晶体管具备：栅电极；氧化物半导体膜，包含沟道区域和低电阻区域，所述沟道区域与所述栅电极对置，所述低电阻区域具有比所述沟道区域的电阻值低的电阻值；以及栅极绝缘膜，设置在所述氧化物半导体膜与所述栅电极之间，并且具有更靠近所述氧化物半导体膜的第一面和更靠近所述栅电极的第二面，所述栅极绝缘膜的所述第一面的沟道长方向的长度比所述栅电极的沟道长方向的最大长度大。

主权项

1.一种晶体管，其中，具备：栅电极；氧化物半导体膜，包含沟道区域和低电阻区域，所述沟道区域与所述栅电极对置，所述低电阻区域具有比所述沟道区域的电阻值低的电阻值；以及栅极绝缘膜，设置在所述氧化物半导体膜与所述栅电极之间，并且具有更靠近所述氧化物半导体膜的第一面和更靠近所述栅电极的第二面，所述栅极绝缘膜的所述第一面的沟道长方向的长度比所述栅电极的沟道长方向的最大长度大，其中，在所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域包含有金属，所述氧化物半导体膜在所述沟道区域与所述低电阻区域之间的邻接所述低电阻区域的位置具有扩散区域，所述扩散区域以比所述低电阻区域的所述金属浓度低的浓度包含所述金属，所述扩散区域的所述金属浓度从靠近所述低电阻区域的位置朝着靠近所述沟道区域的位置趋向变低，其中，进一步具有与所述低电阻区域接触的高电阻膜，所述高电阻膜包含金属氧化物。