[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效

申请号：	201580038164.6	申请日：	2015-04-10
公开（公告）号：	CN106537568B	公开（公告）日：	2019-07-12
发明（设计）人：	滨田宪治;三浦成久;中西洋介	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;C30B29/36;C30B31/22;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	贾成功
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。所述半导体装置的制造方法具备：准备在SiC支承衬底上配设了与上述SiC支承衬底相比杂质浓度为1万分之1以下、并且厚度为50μm以上的SiC外延生长层的SiC外延衬底的工序(a)；选择性地将杂质离子注入上述SiC外延衬底的第1主面而形成构成半导体元件的杂质区域的工序(b)；将规定的离子注入上述SiC外延衬底的第2主面而形成控制上述SiC外延衬底的翘曲的离子注入区域的工序(c)；和在上述工序(b)及工序(c)之后将上述SiC外延衬底加热的工序(d)。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，具备：(a)准备在SiC支承衬底上配设了与所述SiC支承衬底相比杂质浓度为1万分之1以下、并且厚度为50μm以上的SiC外延生长层的SiC外延衬底的工序；(b)选择性地将杂质离子注入所述SiC外延衬底的第1主面而形成构成半导体元件的杂质区域的工序；(c)在所述工序(b)之后将规定的离子注入所述SiC外延衬底的第2主面而形成控制所述SiC外延衬底的翘曲的离子注入区域的工序；和(d)在所述工序(b)及工序(c)之后将所述SiC外延衬底加热的工序。

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