[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备漂移层(11)、上述漂移层上的基极层(12)、上述基极层的相反侧的集电极层(21)及阴极层(22)、将上述基极层贯通的多个沟槽(13)、各沟槽内的栅极电极(17a、17b)、在上述基极层的表层部与上述沟槽相接的发射极区域(14)、与上述基极层及上述发射极区域连接的第1电极(19)、和与上述集电极层及上述阴极层连接的第2电极(23)。半导体衬底的二极管区域的栅极电极(17b)能够进行与IGBT区域的栅极电极(17a)不同的控制，被施加不在上述基极层中形成反型层(24)的电压。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底(10)，构成第1导电型的漂移层(11)；第2导电型的基极层(12)，形成在上述漂移层上；第2导电型的集电极层(21)及第1导电型的阴极层(22)，形成在上述漂移层中的与上述基极层侧相反的一侧；多个沟槽(13)，将上述基极层贯通而到达上述漂移层；栅极绝缘膜(16)，形成于上述沟槽的壁面；栅极电极(17a、17b)，形成于上述栅极绝缘膜上；第1导电型的发射极区域(14)，形成于上述基极层的表层部，与上述沟槽相接；第1电极(19)，与上述基极层及上述发射极区域电连接；以及第2电极(23)，与上述集电极层及上述阴极层电连接；上述半导体衬底之中，作为IGBT元件进行动作的区域为IGBT区域(1a)，并且，作为二极管元件进行动作的区域为二极管区域(1b)；上述沟槽分别形成于上述IGBT区域及上述二极管区域；对于在上述二极管区域中配置的至少一部分的上述栅极电极(17b)，能够进行与在上述IGBT区域中配置的至少一部分的上述栅极电极(17a)不同的控制；在上述二极管区域中配置的至少一部分的上述栅极电极(17b)被施加不在上述基极层中形成将上述第1电极与上述漂移层之间相连的反型层(24)的电压；在上述IGBT区域中配置的上述栅极电极具有元件栅极电极(25a)和伪栅极电极(25b)，对于上述元件栅极电极和上述伪栅极电极，能够进行相互不同的控制；在上述元件栅极电极上，施加使上述IGBT元件动作的电压，在上述伪栅极电极上，施加不在上述基极层中形成将上述第1电极与上述漂移层之间相连的上述反型层的电压；在上述二极管区域中配置的至少一部分的上述栅极电极和上述伪栅极电极被连接到共通的栅极焊盘(3b)，该栅极焊盘(3b)与上述元件栅极电极所连接的栅极焊盘(3a)不同。