[发明专利]使用浓缩法的环状硅烷的制造方法在审
| 申请号： | 201580038294.X | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106573785A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕一;永井健太郎;远藤雅久;孙军 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 任梅,郑霞 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造方法，其为由式(3)表示的环状硅烷的制造方法，该制造方法包括以下工序(A)工序使由式(1)表示的环状硅烷化合物在卤化铝的存在下在环己烷中与卤化氢反应，得到含有由式(2)表示的环状硅烷化合物的溶液，接着将该溶液进行蒸馏而得到由式(2)表示的环状硅烷化合物的工序；以及(B)工序将由式(2)表示的环状硅烷化合物溶解于有机溶剂中，并且用氢或氢化铝锂对该由式(2)表示的环状硅烷化合物进行还原的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 浓缩 环状 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造方法，其为由式(3)表示的环状硅烷的制造方法，[化学式1](SiH2)n 式(3)(式(3)中，n表示4～6的整数)，所述制造方法包括以下工序：(A)工序：使由式(1)表示的环状硅烷化合物在卤化铝的存在下在环己烷中与卤化氢反应，得到含有由式(2)表示的环状硅烷化合物的溶液，[化学式2](SiR1R2)n 式(1)(式(1)中，R1和R2分别表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、或任选取代的苯基，n表示4～6的整数)，[化学式3](SiR3R4)n 式(2)(式(2)中，R3和R4分别表示卤原子，n表示4～6的整数)，接着，将所述溶液进行蒸馏而得到由式(2)表示的环状硅烷化合物的工序；以及(B)工序：将所述式(2)表示的环状硅烷化合物溶解于有机溶剂中，并且用氢或氢化铝锂对所述由式(2)表示的环状硅烷化合物进行还原的工序。
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