[发明专利]光传感器有效
| 申请号： | 201580038508.3 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106663702B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 田中直幸;石丸康人;辻田雄一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;G02B6/42;G01J1/02;G01J1/04;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可使光的受光部分小型化的光传感器。该光传感器设置于设备，具有接受来自该设备的外部的光的受光元件(4)，对上述所接受的光的状态进行检测，其中，上述受光元件(4)与线状的光波导路(2)连接成可进行光传播，该光波导路(2)的顶端部形成为来自上述设备外部的光的入射部。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
一种光传感器，其具有受光元件和线状的光波导路，其特征在于，上述受光元件与上述线状的光波导路连接成能够进行光传播，上述线状的光波导路的顶端部形成为光的入射部，该光传感器设置于设备，使来自该设备的外部的光从上述入射部入射而利用上述受光元件接受，对该接受的光的状态进行检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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