[发明专利]电子装置、制造电子装置的方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201580038658.4 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106537565B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 永泽耕一;藤冈弘文;本多友明 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/22;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种电子装置，该电子装置设置有：多个第一布线，多个第一布线中的每一个部分电连接并且在第一方向上延伸；有机绝缘层，设置在多个第一布线上；以及第二布线，设置在有机绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：多个第一布线图案，所述多个第一布线图案部分地彼此电耦接并且所述多个第一布线图案中的每个在第一方向上延伸；有机绝缘层，设置在所述多个第一布线图案上；以及第二布线图案，设置在所述有机绝缘层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580038658.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锗晶圆的研磨方法
- 下一篇：用于热腔室应用和热处理的光管阵列
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
