[发明专利]具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法在审
| 申请号： | 201580038703.6 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106537559A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 岩室光则;野尻刚;仓田靖;芦泽寅之助;织田明博;清水麻理;佐藤铁也;佐藤英一 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 半导体 制造 方法 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】：
一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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