[发明专利]用于在单个检验过程中的多个过程步骤的检验有效
申请号: | 201580038735.6 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN106537572B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | O·T·巴里斯;R·巴布尔纳特 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95;G01N21/956;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的各种实施例。一种方法包含获取通过检验系统在已对晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行的检验过程期间针对所述晶片产生的输出。所述第一及第二过程步骤包含分别形成所述晶片上的设计的第一及第二部分。所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥。所述方法还包含基于所述输出检测所述晶片上的缺陷且确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置。另外,所述方法包含基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。 | ||
搜索关键词: | 用于 单个 检验 过程 中的 步骤 | ||
【主权项】:
一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统,其包括:光学子系统,其包括至少光源及检测器,其中所述光学子系统经配置以在对所述晶片执行的检验过程期间将由所述光源产生的光引导到所述晶片且使用所述检测器检测来自所述晶片的光,其中所述检验过程是在已对所述晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行,其中所述晶片的检验不在所述第一及第二过程步骤之间执行,其中所述第一过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的设计的第一部分,其中所述第二过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的所述设计的第二部分,且其中所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥;及一或多个计算机子系统,其经配置用于接收由所述检测器产生的响应于由所述检测器检测的所述光的输出,基于所述输出检测所述晶片上的缺陷,确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置,且基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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