[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 201580038935.1 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106537616B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;俆大雄;金彰渊;孙成寿 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅<国际申请>=PCT/KR |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 这里公开了一种通过将晶片级的生长衬底分离而制造的发光装置。该发光装置包括：基底；设置在基底上的发光结构；以及设置在基底与发光结构之间的多个第二接触电极，其中基底包括电连接至发光结构的至少两个体电极以及设置在体电极之间并且包围体电极的绝缘支撑件，该绝缘支撑件和体电极分别包括在面向彼此的表面上接合的凹部和凸部，且该凸部包括其中其宽度在突出方向上改变的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包括：/n发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；/n第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构上面，所述第一和第二接触电极分别与所述第一和第二导电型半导体层欧姆接触；/n绝缘层，其将所述第一和第二接触电极彼此绝缘并且至少部分覆盖所述第一和第二接触电极；/n应力缓冲层，其设置在所述绝缘层上面；/n第一体电极和第二体电极，其设置在所述发光结构和所述应力缓冲层上面，所述第一和第二体电极分别电连接至所述第一和第二接触电极；以及/n绝缘支撑件，其覆盖所述第一和第二体电极的侧表面并且至少部分地暴露所述第一和第二体电极的上表面，/n其中所述第一体电极包括从所述第一体电极的侧表面朝所述第二体电极突出的突出部，/n所述第二体电极包括从所述第二体电极的侧表面凹陷的凹部，以及/n所述突出部与所述凹部接合，/n其中，所述第一体电极包括从所述突出部突出的附加突出部，所述第二体电极包括从所述凹部凹陷的附加凹部，所述附加突出部具有包括多边形、圆形和椭圆形中的至少一部分，所述至少一部分具有内切圆，所述内切圆具有位于所述发光装置的中心部分处的中心。/n
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