[发明专利]发光二极管和反射器在审
| 申请号： | 201580038991.5 | 申请日： | 2015-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106663679A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | F.M.H.克洛姆普韦茨;N.A.M.斯维格斯;H.J.科尔内利森;M.A.德萨姆伯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 江鹏飞,陈岚 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种光源，包括适配成生成光的第一和第二半导体二极管结构，第一和第二半导体二极管结构与彼此横向相邻；光输出区段，其至少部分地重叠第一和第二半导体二极管结构二者并且适配成从第一和第二半导体二极管结构输出光；以及光反射结构，其至少部分地围封光输出区段以及第一和第二半导体二极管结构的侧表面并且适配成从半导体二极管结构朝向光输出区段反射光。光输出区段的面积小于第一和第二半导体二极管结构的组合面积。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 反射 | ||
【主权项】：
一种光源，包括：适配成生成光的第一和第二半导体二极管结构，第一和第二半导体二极管结构与彼此横向相邻；光输出区段，至少部分地重叠第一和第二半导体二极管结构二者并且适配成从第一和第二半导体二极管结构输出光；以及光反射结构，至少部分地围封光输出区段以及第一和第二半导体二极管结构的侧表面并且适配成从半导体二极管结构朝向光输出区段反射光，其中光输出区段的面积小于第一和第二半导体二极管结构的组合面积，并且其中存在第一和第二半导体二极管结构的相邻边缘之间的横向间隔，横向间隔小于第一和第二半导体二极管结构的横向宽度的10%。
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