[发明专利]开关元件在审
| 申请号： | 201580039069.8 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106537602A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 添野明高;青井佐智子;宫原真一朗 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 高培培,车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实现具有与底部绝缘层的下端部相接的p型区域的开关元件的高耐压特性。具有配置于沟槽(18)内的底部的底部绝缘层(20)和配置于比底部绝缘层(20)靠表面侧的位置的栅极电极(24)的开关元件。半导体基板(12)具有与栅极绝缘膜(22)相接的第一n型区域(30)、与栅极绝缘膜(22)相接的第一p型区域(32)、与底部绝缘层(20)的端部相接的第二p型区域(34)、以及使第二p型区域(34)与第一p型区域(32)分离的第二n型区域(36)。从第一p型区域(32)的背面侧端部到第二p型区域(34)的表面侧端部为止的距离A与从底部绝缘层(20)的背面侧端部到第二p型区域(34)的背面侧端部为止的距离B满足A＜4B的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 | ||
【主权项】：
一种开关元件，其中，具有：半导体基板，具有表面和背面，在所述表面形成有沟槽；底部绝缘层，配置于所述沟槽内的底部；栅极绝缘膜，覆盖所述沟槽的比所述底部绝缘层靠所述表面侧的侧面；以及栅极电极，配置于所述沟槽内的比所述底部绝缘层靠所述表面侧的位置，通过所述底部绝缘层和所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板绝缘，所述半导体基板具有：第一n型区域，与所述栅极绝缘膜相接；第一p型区域，在所述第一n型区域的所述背面侧与所述栅极绝缘膜相接；第二p型区域，与所述底部绝缘层的所述背面侧的端部相接；以及第二n型区域，配置于所述第一p型区域的所述背面侧，通过所述第一p型区域而与所述第一n型区域分离，与所述栅极绝缘膜以及所述底部绝缘层相接，延伸到比所述第二p型区域靠所述背面侧的位置，使所述第二p型区域与所述第一p型区域分离，从所述第一p型区域的所述背面侧的端部到所述第二p型区域的所述表面侧的端部为止的距离A与从所述底部绝缘层的所述背面侧的所述端部到所述第二p型区域的所述背面侧的端部为止的距离B满足A＜4B的关系，从所述第二p型区域的所述表面侧的所述端部到所述底部绝缘层的所述背面侧的所述端部为止的距离C比从所述第一p型区域的所述背面侧的所述端部到所述栅极电极的所述背面侧的端部为止的距离D小。
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