[发明专利]形成增强模式III族氮化物器件有效
| 申请号： | 201580039200.0 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106537560B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 伍墨;拉柯许·K·拉尔;伊兰·本-雅各布;乌梅什·米什拉;卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;金洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造III‑N器件的方法包括在基底上形成III‑N沟道层、在所述沟道层上形成III‑N势垒层、在所述势垒层上形成绝缘层以及在所述器件的第一部分中形成沟槽。形成所述沟槽的步骤包括：去除所述器件的所述第一部分中的所述绝缘层和所述势垒层的一部分，使得所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的剩余部分距所述沟道层的顶表面具有厚度，所述厚度在预定厚度范围内；在高温下在包括氧的气体环境中对所述III‑N器件进行退火以使所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所述剩余部分氧化；以及去除所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所氧化的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 增强 模式 iii 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
一种制造III‑N器件的方法，该方法包括：在基底上形成III‑N沟道层；在所述沟道层上形成III‑N势垒层；在所述势垒层上形成绝缘层；以及在所述器件的第一部分中形成沟槽，形成所述沟槽的步骤包括：去除所述器件的所述第一部分中的所述绝缘层和所述势垒层的一部分，其中，所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的剩余部分相距所述沟道层的顶表面具有厚度，所述厚度在预定厚度范围内；在高温下在包括氧的气体环境中对所述III‑N器件进行退火以使所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所述剩余部分氧化；以及去除所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所氧化的剩余部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创世舫电子有限公司，未经创世舫电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580039200.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
