[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201580039339.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106536793B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 宫崎正行 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B24B37/10;C30B25/20;C30B33/02;C30B33/08;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够减少形成在SiC基板上的SiC外延膜的缺陷的SiC半导体装置的制造方法以及通过该方法获得的SiC半导体装置。使用SiC半导体装置的制造方法，其包括：工序(A)，在SiC基板上形成SiC外延膜；工序(B)，以对该外延膜的表面进行化学机械研磨的方式进行平坦化处理直到算数平均表面粗糙度Ra成为0.3nm以下为止；工序(C)，使上述外延膜的表面热氧化而形成牺牲氧化膜；工序(D)，除去该牺牲氧化膜；以及工序(E)，利用去离子水对外延膜的经除去上述牺牲氧化膜的表面进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：工序(A)，在碳化硅基板上形成碳化硅的外延膜；工序(B)，以对所述外延膜的表面进行化学机械研磨的方式进行平坦化处理直到算数平均表面粗糙度Ra成为0.3nm以下为止；工序(C)，使经过平坦化的所述外延膜的表面热氧化而形成牺牲氧化膜；工序(D)，除去所述牺牲氧化膜；以及工序(E)，利用去离子水对外延膜的经除去所述牺牲氧化膜的表面进行清洗。
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