[发明专利]硅二次电池有效
| 申请号： | 201580039465.0 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106688132B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 柳秉勋;公载景 | 申请（专利权）人： | 瑞克锐斯株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/054 | 分类号： | H01M10/054;H01M4/38;H01M4/58;H01M10/056 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅二次电池，尤其涉及一种具有固体电解质的固体状硅二次电池及其的制造方法。根据本发明，用硅代替二次电池的锂，以具有制造费用减少以及废弃二次电池时环境污染最小化的效果。并且，将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以具有使阳极或阴极活性物质的密度增加，从而增加电子密度和容量的效果。并且，在阳极活性物质和阴极活性物质的内部内置有网状板，可以具有有效地移动电子的效果。并且，硅二次电池串联连接时，连接的硅二次电池的电极为共用化，可具有使硅二次电池组件的厚度减小，并且增大输出电压的效果。并且，与PCB或芯片形成一体从而供给电源，以具有发挥对于瞬间放电的备用电源的作用的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 | ||
【主权项】：
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