[发明专利]调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能

摘要

本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。

主权项

一种用于处理基板的方法，包含下列步骤：(a)将远程等离子体源的内壁表面暴露于处于激发态的调节气体，以钝化所述远程等离子体源的所述内壁表面，其中所述远程等离子体源经由导管耦接至处理腔室，其中基板设置于所述处理腔室中，且所述调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合；(b)使用来自所述远程等离子体源的自由基，在所述处理腔室中对来自一批次的基板的N个数量的基板进行一系列的工艺，其中N是基板的整数数量且介于1与20之间；以及(c)重复步骤(a)及(b)，直到所述批次的基板中的最后一个基板经处理并从所述处理腔室移出为止。