[发明专利]在基极层具有增强的掺杂的三价氮化物晶体管有效
| 申请号： | 201580039620.9 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN106537599B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 储荣明 | 申请（专利权）人： | 美国休斯研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭愿洁;彭家恩 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直沟道MOSFET，包括：三价氮化物材料的N型掺杂的基板；和在该基板的顶部表面上生长的三价氮化物材料的外延层，在所述外延层中形成N型掺杂漂移区；所述三价氮化物材料的P型掺杂基极层，该基极层在该漂移区的至少一部分的顶部上形成；所述三价氮化物材料的N型掺杂源极区，该源极区在该基极层的至少一部分上形成；以及具有至少一个垂直壁的栅极沟道，该垂直壁沿着该源极区的至少一部分和该基极层的至少一部分延伸；其中沿着该栅极沟道的该P型掺杂基极层的至少一部分是所述P型掺杂三价氮化物材料的、另外包含一定比例的铝的层。 | ||
| 搜索关键词： | 基极 具有 增强 掺杂 氮化物 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道MOSFET，其特征在于，包括：三价氮化物材料的N型掺杂基板；和在所述基板的顶部表面上生长的三价氮化物材料的外延层，N型掺杂漂移区形成在所述外延层中；所述三价氮化物材料的P型掺杂基极层，所述基极层在所述漂移区的至少一部分的顶部上形成；所述三价氮化物材料的N型掺杂源极区，所述源极区在所述基极层的至少一部分上形成；以及具有至少一个垂直壁的栅极沟道，所述垂直壁沿着所述源极区的至少一部分和所述基极层的至少一部分延伸；其中沿着所述栅极沟道的所述P型掺杂基极层的至少一部分是所述P型掺杂三价氮化物材料的、另外包含一定比例的铝的层。
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