[发明专利]通过金属线和通孔矩阵插入来减轻电迁移、涌入电流效应、IR电压降和抖动

摘要

本文公开了以在为集成电路的布局执行和/或完成了放置和路由过程之后的金属线‑通孔矩阵插入为特征的集成电路和制造此类电路的方法。该金属线‑通孔矩阵包括在特定点被插入到集成电路的布局中以降低通过已经被确定为遭受电迁移、IR电压降、和/或抖动的第一导电路径的电流和电流密度的一个或多个附加金属线以及一个或多个附加通孔。具体地，该金属线‑通孔矩阵提供了一个或多个辅助导电路径以使本将流经第一导电路径的电流的一部分转向并承载该部分电流。这减轻了沿第一导电路径的电迁移问题和IR电压降。还可帮助缓解因沿该路径的抖动而导致的问题。

主权项

1.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：执行所述集成电路的路由以生成跨多个金属层的多个导电路径；标识所述多个导电路径中具有电流和电流密度的第一导电路径，所述第一导电路径从所述集成电路的第一点延伸至所述集成电路的第二点并且至少包括第一金属层内的第一金属线；以及在执行所述路由步骤和标识步骤之后，形成辅助导电路径，其从所述第一点延伸至所述第二点并且包括形成第一通孔、第二金属线和第二通孔，所述第一通孔被电耦合至所述第二金属线，所述第二金属线进而被电耦合至所述第二通孔，所述第二金属线位于不同于所述第一金属层的第二金属层内，所述第一和第二通孔位于所述第一金属层与所述第二金属层之间，并且其中所述第一和第二通孔将所述第一金属线电耦合至所述第二金属线，从而所述辅助导电路径通过使流经所述第一导电路径的电流的一部分转向来降低所述第一导电路径的所述电流和所述电流密度。