[发明专利]Cu‑Ga溅射靶及Cu‑Ga溅射靶的制造方法在审
| 申请号： | 201580039989.X | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106574360A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;张守斌;井尾谦介 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;太阳能先锋株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C9/00;C22C28/00;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 苏萌,钟守期 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Cu‑Ga溅射靶，其具有作为除去氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K、且余量由Cu及不可避免的杂质构成的组成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的Cu‑Ga‑K‑F区域。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga溅射靶，其特征在于，具有如下组成：作为去除氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K，且余量由Cu及不可避免的杂质构成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的区域。
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