[发明专利]气体供给系统、等离子体处理装置和等离子体处理装置的应用方法有效
申请号: | 201580040141.9 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN106575615B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 泽地淳;佐佐木则和;山岛淳;佐藤好保;野上健一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/455;C23C16/509;H01L21/31 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一个实施方式的气体供给系统包括第一~第三机构。第一机构的多个整合部构成为对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体。第二机构构成为对来自多个整合部的多个气体进行分配,对所分配的气体的流量进行调节并将其输出。第三机构构成为将气体供给系统内的气体排出至排气装置。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 系统 等离子体 处理 装置 应用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置的应用方法,其用于在所述等离子体处理装置中对气体供给系统内的气体进行置换,所述气体供给系统用于向所述等离子体处理装置供给气体,包括:具有多个整合部的第一机构,所述多个整合部各自对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体;对来自所述多个整合部的多种气体进行分配,对所分配的气体的流量进行调节并将其输出的第二机构;和该气体供给系统的排气用的第三机构,所述第一机构包括:分别与多个气源连接的多个第一配管;分别设置于所述多个第一配管的多个第一阀;和比所述多个第一配管的个数少的多个第二配管,所述多个整合部各自包括:所述多个第二配管中的一个第二配管;所述多个第一配管中的、从所述一个第二配管分支并与一个以上的气源连接的一个以上的第一配管;和所述多个第一阀中的、设置于所述一个以上的第一配管的一个以上的第一阀,所述第二机构包括:各自包括与所述多个第二配管的个数相同数量的多个流量控制单元的多个流量控制单元组;和将来自所述多个第二配管的气体分配给所述多个流量控制单元组的分别对应的流量控制单元的多个第三配管,所述第三机构包括:设置有与吹扫气体的气源连接的第二阀和与排气装置连接的第三阀的排气管;在所述第二阀与所述第三阀之间,分别连接所述排气管和所述多个第二配管的多个第四配管;和分别设置于所述多个第四配管的多个第四阀,所述第二机构还包括在所述多个流量控制单元组的每一个中用于使来自所述多个流量控制单元的气体合流的多个合流管,所述等离子体处理装置用于对被处理体进行等离子体处理,包括:所述气体供给系统;提供用于收容被处理体的空间的处理容器;和用于向与所述多个流量控制单元组的个数相同数量的所述处理容器内的多个区域排出气体的多个气体排出部,所述多个合流管分别与所述多个气体排出部连接,所述等离子体处理装置的所述气体供给系统还包括与所述排气管连接的压力计,所述应用方法的特征在于,包括:使所述多个流量控制单元停止的步骤;关闭所述多个第一阀的步骤;打开所述第二阀、所述第三阀、所述多个第四阀的步骤;在由所述压力计所计测的所述排气管的压力成为阈值以下时,关闭所述第二阀、所述第三阀、所述多个第四阀的步骤;打开所述多个第一阀中的与规定的气源连接的第一阀的步骤;和利用所述多个流量控制单元对气体的流量进行调节的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580040141.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造