[发明专利]产生薄无机膜的方法有效
申请号: | 201580040271.2 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN107278235B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | J·斯特劳特曼;R·帕切洛;T·绍布;F·艾克迈尔;D·勒夫勒;H·威尔默;U·雷迪厄斯;J·伯塞尔;F·赫琳 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455;C07F15/04;C07F15/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张双双;刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明属于产生基材上的薄无机膜的方法,特别是原子层沉积方法的领域。本发明详细涉及如下方法,包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态并将通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上,其中R1和R4彼此独立地为烷基、芳基或三烷基甲硅烷基,R2、R3、R5和R6彼此独立地为氢、烷基、芳基或三烷基甲硅烷基,n为1至3的整数,M为Ni或Co,X为与M配位的配体,且m为0至4的整数。 | ||
搜索关键词: | 产生 无机 方法 | ||
【主权项】:
1.一种产生固体基材上的无机膜的方法,包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态和将通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上,Ln‑‑‑‑M‑‑‑Xm (I)其中R1和R4彼此独立地为烷基、芳基或三烷基甲硅烷基,R2、R3、R5和R6彼此独立地为氢、烷基、芳基或三烷基甲硅烷基,n为1至3的整数,M为Ni或Co,X为与M配位的配体,且m为0至4的整数。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的