[发明专利]N沟道场效应晶体管中的应力在审
| 申请号： | 201580040287.3 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN106575621A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;K·利姆;S·S·宋;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管(FinFET)包括在半导体鳍的表面上的栅极堆叠。该半导体鳍可包括覆盖材料和应力源材料。应力源材料由覆盖材料限定于毗邻栅极堆叠的区域。应力源材料在毗邻栅极堆叠的半导体鳍上提供应力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 场效应 晶体管 中的 应力 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体基板上制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，包括：在半导体鳍的表面上形成栅极堆叠；在所述半导体鳍上沉积电介质层以与所述栅极堆叠的导电栅极的表面基本上共面；将所述导电栅极凹陷到低于所述电介质层的水平；将应力源材料沉积到所述导电栅极的凹陷表面和所述电介质层上；限定所述应力源材料；以及改变所述应力源材料的体积以对毗邻所述导电栅极的半导体鳍施加应力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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