[发明专利]重叠测量方法、装置、以及显示装置有效
申请号: | 201580040614.5 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN106574832B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 高木裕治;福永文彦;后藤泰范 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | G01B15/00 | 分类号: | G01B15/00;G03F9/00;G06T1/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;文志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在比较通过SEM进行拍摄而获得的基准图像和测量图像,测量在半导体图案的上下层形成的图案的重叠时,为了解决相对于上层图案的SEM图像的对比度,下层图案的SEM图像的对比度相对低,即使基于测量结果将基准图像与测量图像重叠也难以确认位置对准状态这样的课题,在本发明中,根据通过SEM进行拍摄而获得的基准图像和测量图像,求出重叠测量对象的图案的位置偏移,将基准图像和测量图像进行微分处理,基于事先求出的位置偏移量将微分处理后的基准图像和测量图像进行位置对准,将进行了位置对准的微分基准图像和微分测量图像的灰度值作为在各图像中不同颜色的亮度进行着色后进行重叠,并与求出的位置偏移量一同进行显示。 | ||
搜索关键词: | 重叠 测量方法 装置 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种重叠测量方法,其测量在半导体器件的不同层上形成的图案间的重叠,其特征在于,具有如下步骤:使用扫描型电子显微镜来取得基准图像,其中,该基准图像包含不存在在半导体器件的上层形成的图案与在下层形成的图案之间的对准偏移即重叠的状态的图案;使用扫描型电子显微镜来取得包含在半导体器件的所述上层形成的测量对象的图案和在所述下层形成的图案的测量图像;计算取得的所述基准图像与取得的所述测量图像的对应的图案的位置偏移量;对取得的所述基准图像与取得的所述测量图像进行微分处理来生成微分基准图像和微分测量图像;通过具有与生成的所述微分基准图像的灰度值对应的亮度值的第一颜色进行着色来生成彩色微分基准图像,通过具有与生成的所述微分测量图像的灰度值对应的亮度值的与所述第一颜色不同的第二颜色进行着色来生成彩色微分测量图像;使用计算出的所述图案的位置偏移量的信息来进行所述彩色微分基准图像或所述彩色微分测量图像的位置修正;将进行了所述位置修正的彩色微分基准图像和所述彩色微分测量图像重叠,来与计算出的所述图案的位置偏移量的信息一同进行显示。
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