[发明专利]具有ESD元件的半导体装置

摘要

在ESD元件进行动作时，抑制发热并且以对构成ESD元件的全部晶体管的全部沟道流过一样的电流的方式，用低电阻物质将多指类型的ESD元件的各个晶体管、各个沟道中存在的各种各样的基板电位电气相连，进而设定为与Vss电位不同的电位，从而谋求电流均匀，通过低电压动作抑制发热，提高ESD承受能力。

主权项

一种具有ESD元件的半导体装置，其特征在于，所述ESD元件具有：半导体衬底；P阱，设在所述半导体衬底表面、杂质浓度比所述半导体衬底还高；N型源极及N型漏极，设在所述P阱内的所述半导体衬底表面、杂质浓度比所述半导体衬底还高；P型区域，与所述N型源极接触而设在所述半导体衬底表面、杂质浓度比所述半导体衬底还高；栅极绝缘膜，设在成为所述N型源极与所述N型漏极之间的所述半导体衬底表面；以及栅极电极，设在所述栅极绝缘膜上，所述N型漏极与焊盘电极连接，所述N型源极与较低的一方的电源电位连接，所述N型源极和所述P型区域没有通过电极连接。