[发明专利]n型氮化铝单晶基板有效
| 申请号： | 201580041005.1 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106574399B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 木下亨;永岛彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/329;H01L29/207;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种掺杂硅的、高性能的n型氮化铝单晶基板。该n型氮化铝单晶基板掺杂有硅，在23℃时的光致发光测定中，在370～390nm处具有峰的发光光谱强度(I1)与氮化铝的带边的发光峰强度(I2)之比(I1/I2)是0.5以下，厚度是25～500μm，23℃时的电子浓度与硅浓度之比(电子浓度/硅浓度)是0.0005～0.001。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶基板 | ||
【主权项】：
1.一种n型氮化铝单晶基板，其掺杂有硅，作为施主杂质发挥功能的硅以外的杂质浓度为硅浓度以下，在23℃时的光致发光测定中，在370～390nm具有峰的发光光谱强度I1与氮化铝的带边的发光峰强度I2之比I1/I2是0.5以下，厚度是25～500μm，23℃时的电子浓度与硅浓度之比，即电子浓度/硅浓度是0.0005～0.001。
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