[发明专利]支承在具有围绕的金属阻挡层的衬底上的X射线检测器在审
申请号: | 201580041676.8 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN107078152A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | J·J·刘 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;G01T1/202 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 郑浩,姜甜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | X射线检测器组件包括具有下表面和上表面的聚合衬底,以及设置在衬底的上表面上的X射线检测器。X射线检测器包括设置在衬底上的薄膜晶体管阵列,设置在薄膜晶体管阵列上的有机光电二极管和设置在有机光电二极管上的闪烁体。金属阻挡层基本上在闪烁体的上表面上,基本上在闪烁体、有机光电二极管和薄膜晶体管阵列的外围延伸的边缘上,并且基本上在衬底的下表面上延伸。 | ||
搜索关键词: | 支承 具有 围绕 金属 阻挡 衬底 射线 检测器 | ||
【主权项】:
一种X射线检测器组合件,包括:聚合衬底,具有下表面和上表面;X射线检测器,设置在所述衬底的所述上表面上,所述X射线检测器包括:薄膜晶体管阵列,设置在所述衬底上;有机光电二极管,设置在所述薄膜晶体管阵列上;和闪烁体,设置在所述有机光电二极管上;以及金属阻挡层,基本上在所述闪烁体的上表面之上,基本上在所述闪烁体,所述有机光电二极管和所述薄膜晶体管阵列的外围延伸边缘之上,并且基本上在所述衬底的所述下表面之上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的