[发明专利]针对高频层转移器件的EMI屏蔽

摘要

公开了涉及对射频层转移器件的EMI屏蔽的各种方法和设备。一种方法包括在绝缘体上覆半导体式晶片的有源层中形成射频场效应晶体管。绝缘体上覆半导体式晶片具有埋藏绝缘体侧和有源层侧。该方法进一步包括将第二晶片结合至该绝缘体上覆半导体式晶片的有源层侧。该方法进一步包括形成对该半导体器件的屏蔽层。该屏蔽层包括导电材料。该方法进一步包括将射频场效应晶体管耦合至包括射频组件的电路。该方法进一步包括将该射频场效应晶体管、射频组件、和该屏蔽层切单为管芯。该屏蔽层位于该射频组件的基板与该射频场效应晶体管之间。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法，包括：在绝缘体上覆半导体式晶片的有源层中形成射频场效应晶体管，其中所述绝缘体上覆半导体式晶片具有埋藏绝缘体侧和有源层侧；将第二晶片结合至所述绝缘体上覆半导体式晶片的所述有源层侧；形成对所述半导体器件的屏蔽层，其中所述屏蔽层包括导电材料；将所述射频场效应晶体管耦合至包括射频组件的电路；以及将所述射频场效应晶体管、射频组件和所述屏蔽层切单为管芯；其中所述屏蔽层位于所述射频组件的基板与所述射频场效应晶体管之间。