[发明专利]用于低输入电压带隙基准体系结构和电路的方法和装置在审
| 申请号： | 201580042129.1 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106662887A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | A·斯利瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | 皮斯凯克股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，装置包括带隙基准电路，该带隙基准电路具有第一双极结型晶体管(BJT)，可以从具有端子电压的节点接收电流以及可以输出基极发射极电压。装置还包括第二双极结型晶体管(BJT)，该第二双极结型晶体管(BJT)具有大于第一BJT的器件宽度的器件宽度。第二BJT可以接收来自具有端子电压的节点的电流以及输出基极发射极电压。在这种实施例中，装置还包括基准产生电路，操作地耦合至第一BJT和第二BJT，其中基准产生电路可以基于第一BJT的基极发射极电压和第二BJT的基极发射极电压产生带隙基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 输入 电压 基准 体系结构 电路 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：带隙基准电路，具有：第一双极结型晶体管(BJT)，配置为接收来自具有端子电压的节点的电流以及输出基极发射极电压，所述第一BJT的所述端子电压在至少一段时间内与所述第一BJT的所述基极发射极电压基本上相对应或者低于所述第一BJT的所述基极发射极电压，第二双极结型晶体管(BJT)，具有大于所述第一BJT的器件宽度的器件宽度，所述第二BJT配置为接收来自具有端子电压的节点的电流以及输出基极发射极电压，所述第二BJT的所述端子电压在至少一段时间内与所述第二BJT的所述基极发射极电压基本上相对应或者低于所述第二BJT的所述基极发射极电压。基准产生电路，操作地耦合至所述第一BJT和所述第二BJT，所述基准产生电路配置为基于所述第一BJT的所述基极发射极电压和所述第二BJT的所述基极发射极电压产生带隙基准电压。
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