[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供一种半导体元件，具备：具有活性层的半导体层叠部、以及向所述活性层注入电流的电极，所述半导体层叠部包含：第1区域，其包含所述活性层的一部分，且在所述层叠方向上延伸；第2区域，其至少包含所述活性层的端部的一部分，且在所述层叠方向上延伸；以及第3区域，其包含所述第1区域与所述第2区域之间的所述活性层的一部分，且在所述层叠方向上延伸，所述第2区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，所述第3区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，且低于所述第2区域的混晶度。由此，提供可靠性高的半导体元件。

主权项

1.一种半导体元件，具备：半导体层叠部，其具有活性层；以及电极，其向所述活性层注入电流，所述半导体元件的特征在于，所述半导体层叠部包含：第1区域，其包含所述活性层的一部分，且在层叠方向上延伸；第2区域，其至少包含所述活性层的端部的一部分，且在所述层叠方向上延伸；以及第3区域，其包含所述第1区域与所述第2区域之间的所述活性层的一部分，且在所述层叠方向上延伸，所述第2区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，所述第3区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，且低于所述第2区域的混晶度，所述半导体层叠部包含：上部杂质层，其在所述层叠方向上的最表面区域掺杂了杂质而成；以及下部杂质层，其形成得比所述上部杂质层更靠所述活性层侧，且所述杂质的浓度低于所述上部杂质层的所述杂质的浓度，至少所述第1区域以及所述第3区域的所述最表面区域具有所述上部杂质层，在所述第2区域的至少一部分，所述下部杂质层在所述半导体层叠部的最表面露出，在所述第3区域的与所述第1区域的边界处，所述下部杂质层在所述半导体层叠部的所述最表面露出。