[发明专利]光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法在审
| 申请号： | 201580042508.0 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106575083A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 冈田佳奈;牧野岛高史;越后雅敏;东原豪;大越笃 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C07C261/02;G03F7/004;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光刻用下层膜形成用组合物含有特定式(1)所示的化合物以及溶剂成分(S)20～99质量％，除前述溶剂成分(S)以外的成分(A)中包含27～100质量％的该式(1)所示的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 下层 形成 组合 以及 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻用下层膜形成用组合物，其含有下述式(1)所示的化合物以及溶剂成分(S)20～99质量％，除所述溶剂成分(S)以外的成分(A)中包含27～100质量％的所述式(1)所示的化合物，式(1)中，Ar1和Ar2各自独立地表示苯结构、萘结构或联苯结构，Ra各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、碳数6～12的芳基、碳数1～4的烷氧基、或碳数1～6的烷基与碳数6～12的芳基组合而成的基团，Rb、Rc、Rf和Rg各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基或碳数6～12的芳基，Rd和Re各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、碳数6～12的芳基、碳数1～4的烷氧基或羟基，此处，Ar1和Ar2的取代基能选择任意位置，p表示氰酸酯基的键合个数，为1～3的整数；q表示Ra的键合个数，此处，Ar1为苯结构时，q为4‑p，Ar1为萘结构时，q为6‑p，Ar1为联苯结构时，q为8‑p；t表示1～50的整数。
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