[发明专利]Ga2O3系单晶基板在审
| 申请号： | 201580042566.3 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106574396A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 徐谦,刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能实现高加工合格率的Ga2O3系单晶基板。能得到如下Ga2O3系单晶基板在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～150°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm。 | ||
| 搜索关键词： | ga2o3 系单晶基板 | ||
【主权项】：
一种Ga2O3系单晶基板，其特征在于，在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～150°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm。
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