[发明专利]包括具有高矫顽力部分的感测层的差分磁性隧道结对有效
| 申请号： | 201580042876.5 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN106663468B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | Y·陆;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/24 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜<国际申请>=PCT/US2015/ |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置，包括差分磁性隧道结(MTJ)对的第一MTJ器件。该装置进一步包括该差分MTJ对的第二MTJ器件。第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 矫顽力 部分 感测层 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n差分磁性隧道结(MTJ)对的第一MTJ器件；以及/n所述差分MTJ对的第二MTJ器件，/n其中，所述第一MTJ器件包括反铁磁(AFM)层、具有低矫顽力部分的存储层、以及具有高矫顽力部分的感测层，所述存储层位于所述AFM层与所述感测层之间，/n其中，所述第一MTJ器件的第一状态与所述第二MTJ器件的第二状态之差指示在所述差分MTJ对处存储的单一值，/n其中，所述装置进一步包括控制电路系统和被配置成存储参考状态的参考器件，其中，所述控制电路系统被配置成：存取所述参考器件以确定所述参考状态，并且其中，所述控制电路系统包括反相器电路系统，所述反相器电路系统被配置成：响应于所述参考状态的变化而将由所述差分MTJ对存储的单一值反相。/n
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