[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 201580043126.X | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN106575518B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 泷泽亮介 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括：存储器垫，其包括具有可变电阻元件的存储单元；写入驱动器，其在写入中沿着第一方向和与所述第一方向相反的第二方向中的一者将写入电流施加到所述存储单元；以及读取驱动器，其在写入之后的验证读取中沿着所述第一方向和所述第二方向中的一者将验证读取电流施加到所述存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：存储器垫，其包括具有可变电阻元件的存储单元；写入驱动器，其将写入电流施加到所述存储单元，在写入中所述写入电流沿着第一电流方向和与所述第一电流方向相反的第二电流方向中的一者流动；以及读取驱动器，其将验证读取电流施加到所述存储单元，在写入之后的验证读取中在所述写入电流沿着所述第一电流方向流动的情况下所述验证读取电流沿着所述第一电流方向流动，在所述验证读取中在所述写入电流沿着所述第二电流方向流动的情况下所述验证读取电流沿着所述第二电流方向流动。
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