[发明专利]具有多级操作的非易失性铁电存储器单元有效
| 申请号： | 201580043366.X | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106575702B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 朴志勋;胡萨姆·N·阿尔沙雷夫;穆赫德·A·卡恩;伊哈卜·尼扎尔·乌达 | 申请（专利权）人： | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 胡春光;张颖玲 |
| 地址： | 荷兰贝亨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铁电部件，例如上述的铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电电容器和铁电二极管，可以用作如本发明所述的多级存储器单元。在每个多级存储器单元中存储多个信息位可以由耦合到铁电部件的阵列的控制器执行，该铁电部件的阵列配置为铁电存储器单元。控制器可以执行以下步骤：接收用于写入多级存储器单元的位模式，该多级存储器单元包括铁电层；至少部分地基于接收的位模式选择用于将写入脉冲施加到所述存储器单元的脉冲持续时间；以及将具有选择的脉冲持续时间的至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表接收的位模式的残余极化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多级 操作 非易失性铁电 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种用于在铁电多级存储器单元中存储多个信息位的方法，所述铁电多级存储器单元包括铁电二极管，所述方法包括：a)接收用于写入多级存储器单元的位模式，该多级存储器单元包括铁电层；b)至少部分地基于接收的位模式选择用于将写入脉冲施加到所述存储器单元的脉冲持续时间；以及c)将具有选择的脉冲持续时间的至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表接收的位模式的残余极化，其中，将所述至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元的步骤包括将所述至少一个写入脉冲施加到所述铁电二极管，其中，所述方法还包括：感测铁电多级存储器单元的沟道电阻；至少部分地基于感测的沟道电阻确定存储在铁电多级存储器单元中的第二位模式，其中，所述铁电多级存储器单元的感测的沟道电阻代表所述铁电多级存储器单元的所述铁电层的残余极化；以及验证确定的第二位模式是接收的位模式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沙特基础工业全球技术公司，未经沙特基础工业全球技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580043366.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直磁性元件的杂散场的自补偿
- 下一篇：基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件
