[发明专利]多晶体及其制造方法在审
| 申请号： | 201580043473.2 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106575756A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 片冈邦光;秋本顺二 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01M4/485 | 分类号： | H01M4/485;C01G23/00;H01M10/052;H01M10/054 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够可逆的大容量的充放电的钠离子二次电池和锂离子二次电池。钠离子二次电池和锂离子二次电池具备正极、负极和电解质。这些二次电池的正极或负极的活性物质是由化学式NaxTi4O9(2≤x≤3)，优选Na2Ti4O9表示、具有一维隧道型结构、属于单斜晶系的单一相的多晶体。该多晶体是，在包含钼等材质的容器内填充含有钠化合物、钛化合物和金属钛中的至少一种的原料，在800℃以上且1600℃以下进烧成而制造的。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶体的制造方法，其中，所述多晶体由化学式NaxTi4O9表示、具有一维隧道型结构，是属于单斜晶系的单一相，其中，2≤x≤3，具有将含有钠化合物、钛化合物和金属钛中的至少一种的原料在800℃以上且1600℃以下烧成的烧成工序。
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