[发明专利]钨电容器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201580043487.4 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106663543A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美;矢部正二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/07 | 分类号： | H01G9/07;H01G9/00;H01G9/04;H01G9/052 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容器元件，其在含有钨的阳极体上依次包含含有非晶质的钨氧化物的电介质层；被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；半导体层；和导电体层。本发明的电容器元件，其耐热性高，在密封工序和/或回熔炉中的处理等高温热处理后，LC难以增大。本发明涉及的电容器元件能够通过依次进行以下工序而制造将钨粉的成形体烧结而形成阳极体的烧结工序；对所述阳极体进行化学转化处理的电介质层形成工序；在所述电介质层上形成结晶性钨氧化物层的工序；形成半导体层的半导体层形成工序；和形成导电体层的导电体层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器元件，其特征在于，在含有钨的阳极体上依次包含：含有非晶质的钨氧化物的电介质层；被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；半导体层；和导电体层。
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