[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积系统中于高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置在审
| 申请号： | 201580043795.7 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106575634A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | Z·J·叶;J·D·平森二世;塙广二;周建华;林兴;段仁官;K·D·李;金柏涵;S·P·贝海拉;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·K·库尔施拉希萨;J·K·福斯特;M·斯利尼瓦萨恩;U·P·哈勒;H·K·博尼坎帝 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 系统 高温 使用 压缩 应力 拉伸 处理 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘，所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦接到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；和电极，所述电极嵌在所述主体中，并且所述电极耦接到电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
