[发明专利]聚合电荷转移层和含有其的有机电子装置在审
申请号: | 201580043855.5 | 申请日: | 2015-01-08 |
公开(公告)号: | CN106575718A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | L·斯宾塞;罗弘烨;都成真;刘淳;朱敏荣;冯吉昌;唐铮铭;冯少光;K·卡恩斯;T·德佛里斯;S·穆克霍培德海耶;J·克雷默;P·特雷福纳斯三世;D·D·德沃尔;W·伍德沃德 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种包含聚合物和p型掺杂剂的聚合电荷转移层。所述聚合物包含单体A、单体B以及单体C交联剂作为聚合单元。本发明进一步关于一种含有所述聚合电荷转移层的有机电子装置,尤其有机发光装置。 | ||
搜索关键词: | 聚合 电荷 转移 含有 有机 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种聚合电荷转移层,其由包含以下各者的组合物形成:按所述组合物的总重量计1wt%到20wt%的p型掺杂剂组分;以及聚合物,其包含单体A和单体C交联剂作为聚合单元;其中单体A具有结构A:其中A和M各自为经取代或未经取代的芳香族部分或经取代或未经取代的杂芳香族部分;且其中n为2到10;且其中R1到R3各自独立地选自以下各者:氢;氘;烃基,进一步为C1‑C100烃基,进一步为C3‑C100烃基,进一步为C10‑C100烃基,进一步为C20‑C100烃基,进一步为C30‑C100烃基;经取代的烃基,进一步为C1‑C100经取代的烃基,进一步为C3‑C100经取代的烃基,进一步为C10‑C100经取代的烃基,进一步为C20‑C100经取代的烃基,进一步为C30‑C100经取代的烃基;杂烃基,进一步为C1‑C100杂烃基,进一步为C3‑C100杂烃基,进一步为C10‑C100杂烃基,进一步为C20‑C100杂烃基,进一步为C30‑C100杂烃基;经取代的杂烃基,进一步为C1‑C100经取代的杂烃基,进一步为C3‑C100经取代的杂烃基,进一步为C10‑C100经取代的杂烃基,进一步为C20‑C100经取代的杂烃基,进一步为C30‑C100经取代的杂烃基;卤素;氰基;芳基,进一步为C5‑C100芳基,进一步为C6‑C100芳基,进一步为C10‑C100芳基,进一步为C20‑C100芳基,进一步为C30‑C100芳基;经取代的芳基,进一步为C5‑C100经取代的芳基,进一步为C6‑C100经取代的芳基,进一步为C10‑C100经取代的芳基,进一步为C20‑C100经取代的芳基,进一步为C30‑C100经取代的芳基;杂芳基,进一步为C5‑C100杂芳基,进一步为C6‑C10杂芳基,进一步为C10‑C100杂芳基,进一步为C20‑C100杂芳基,进一步为C30‑C100杂芳基;经取代的杂芳基,进一步为C5‑C100经取代的杂芳基,进一步为C6‑C100经取代的杂芳基,进一步为C10‑C100经取代的杂芳基,进一步为C20‑C100经取代的杂芳基,进一步为C30‑C100经取代的杂芳基;且其中L1选自杂原子、芳香族部分、杂芳香族部分、C1‑C100烃基、C1‑C100经取代的烃基、C1‑C100杂烃基以及C1‑C100经取代的杂烃基;且其中R1到R3中的两个或更多个可任选地形成一个或多个环结构;单体C交联剂具有结构C:其中C为芳香族部分、杂芳香族部分、C1‑C50烃基、C1‑C50经取代的烃基、C1‑C50杂烃基或C1‑C50经取代的杂烃基;且其中R4到R6各自独立地选自以下各者:氢、氘、C1‑C50烃基、C1‑C50经取代的烃基、C1‑C50杂烃基、C1‑C50经取代的杂烃基、卤素、氰基、C5‑C50芳基、C5‑C50经取代的芳基、C5‑C50杂芳基、C5‑C50经取代的杂芳基;且其中L2选自杂原子、芳香族部分、杂芳香族部分、C1‑C100烃基、C1‑C100经取代的烃基、C1‑C100杂烃基或C1‑C100经取代的杂烃基;且其中m为2到25;且其中L2的各化学基团独立地键结到C;且其中R4到R6中的两个或更多个可任选地形成一个或多个环结构;且所述p型掺杂剂选自卓鎓盐、咪唑鎓盐以及三苯甲基盐。
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