[发明专利]伪双端口存储器和用于操作该存储器的方法有效

专利信息
申请号: 201580043960.9 申请日: 2015-07-20
公开(公告)号: CN106796812B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: S·S·尹;T·C·Y·夸克;C·郑;N·德塞 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22;G11C8/16;G11C11/412;G11C11/419
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 唐杰敏;陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了存储器以及用于操作该存储器的方法。在一个方面,该存储器可以是PDP存储器。该存储器包括配置成响应于用于存取循环的时钟的边沿而生成第一时钟和第二时钟的控制电路。第一输入电路被配置成基于第一时钟来接收用于第一存储器访问的输入。第一输入电路包括锁存器。第二输入电路被配置成基于第二时钟来接收用于第二存储器访问的输入。第二输入电路包括触发器。
搜索关键词: 端口 存储器
【主权项】:
1.一种存储器,包括:配置成响应于用于存取循环的时钟的相同上升边沿而生成第一时钟和第二时钟的控制电路;配置成基于所述第一时钟来接收用于第一存储器访问的输入的第一输入电路,其中所述第一输入电路包括锁存器;以及配置成基于所述第二时钟来接收用于第二存储器访问的输入的第二输入电路,所述第二存储器访问在所述第一存储器访问之后,其中所述第二输入电路包括触发器,其中所述第一输入电路响应于所述第一时钟的转换而锁存所述用于第一存储器访问的输入,以及所述第二输入电路在所述用于第一存储器访问的输入被锁存时响应于所述第二时钟的转换而锁存所述用于第二存储器访问的输入。
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