[发明专利]附着物的去除方法以及干式蚀刻方法有效
| 申请号： | 201580044038.1 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106663626B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 菊池亚纪应;涉仁纪;龟田贤治;桧山真;坪田康寿 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 闫小刚 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 附着物 去除 方法 蚀刻 以及 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.附着物的去除方法，其通过使含有含氟气体的清洁气体接触附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物，来去除所述附着物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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