[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效

申请号：	201580044044.7	申请日：	2015-03-30
公开（公告）号：	CN106663634B	公开（公告）日：	2021-07-23
发明（设计）人：	加藤芳健	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/338	分类号：	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军;李文屿
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI构成为具有在氮化物半导体层CH上形成的第一栅极绝缘膜(第一金属的氧化膜)GIa，和第二栅极绝缘膜(第二金属的氧化膜)GIb。并且，第二金属(例如，Hf)比第一金属(例如，Al)的电负性低。由此，通过与第一金属的电负性相比，第二金属的电负性更低，能够使阈值电压(Vth)向正方向偏移。另外，栅电极GE构成为具有在第二栅极绝缘膜GIb上形成的第一栅电极(第三金属的氮化膜)GEa，和第二栅电极(第四金属)GEb。由此，能够防止氧向栅极绝缘膜GI的扩散，降低阈值电压(Vth)的偏差。
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【主权项】：

一种半导体器件，具有：氮化物半导体层，设置于所述氮化物半导体层上的第一栅极绝缘膜，设置于所述第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜，设置于所述第二栅极绝缘膜上的第一栅电极，和设置于所述第一栅电极上的第二栅电极，所述第一栅极绝缘膜为包含第一金属的氧化膜或包含硅的氧化膜，所述第二栅极绝缘膜为包含第二金属的氧化膜，所述第二金属的电负性小于所述第一金属或硅的电负性，所述第一栅电极为包含第三金属的氮化膜，所述第二栅电极由第四金属形成。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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