[发明专利]研磨膜有效
| 申请号： | 201580044260.1 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106573362B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 田浦歳和;西藤和夫 | 申请（专利权）人： | 阪东化学株式会社 |
| 主分类号： | B24D11/00 | 分类号： | B24D11/00;B24D3/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本兵库县神户市*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种研磨膜，其具有高磨削力，且不易产生由研磨中的负重条件变动所致的光纤连接器的端面不良。所述研磨膜，其具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，且所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所致的磨耗量为10mg以上且25mg以下。所述研磨层中的所述研磨粒子的含量优选85质量％以上。所述研磨粒子可包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为50nm以上且小于250nm的第二研磨粒子。所述研磨层的平均厚度优选4μm以上且15μm以下。所述研磨粒子可为二氧化硅粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 | ||
【主权项】：
1.一种研磨膜，具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，并且所述研磨膜的特征在于：所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层中的所述研磨粒子的含量为85质量％以上且为95质量％以下，所述研磨粒子包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为50nm以上且小于250nm的第二研磨粒子，所述第一研磨粒子相对于所述研磨粒子的总体的含量为60质量％以上且75质量％以下，所述第二研磨粒子的含量为25质量％以上且35质量％以下，所述第二研磨粒子中一次粒径为100nm以上且小于250nm的研磨粒子相对于所述研磨粒子的总体的含量为5质量％以上且25质量％以下，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所得的磨耗量为10mg以上且25mg以下。
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