[发明专利]激光退火装置及激光退火方法有效
| 申请号： | 201580044475.3 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106663611B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 城户淳二 | 申请（专利权）人： | 城户淳二 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山形*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种激光退火装置及激光退火方法，其在短时间内有效地进行是否适当地进行了激光退火处理的确认工序。激光退火装置(1)具备：激光源(2)；激光照射光学系统(3)，将从激光源(2)射出的激光照射至处理对象基板(W)的处理区域(Sn)；照明光源(4)，射出可见光区的照明光；照明光学系统(5)，将从照明光源(4)射出的光照射至处理区域(Sn)；及光谱检测部(6)，检测出在用激光进行了退火处理的处理区域(Sn)反射的可见光区的光，并输出其光谱特征。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，其特征在于，具备：激光源；激光照射光学系统，将从所述激光源射出的激光照射至处理对象基板的处理区域；照明光源，射出可见光区的照明光；照明光学系统，将从所述照明光源射出的光照射至所述处理区域；光谱检测部，检测出在由所述激光进行了退火处理的所述处理区域反射的可见光区的光，并输出其光谱特征；及检测光学系统，将在所述处理区域反射的可见光区的光引导至所述光谱检测部，所述激光照射光学系统具备微透镜阵列和掩膜，所述微透镜阵列将所述激光同时且独立地聚光至多个所述处理区域，所述掩膜具有将光独立地入射至所述微透镜阵列的各微透镜的开口，所述检测光学系统经由所述微透镜阵列和所述掩膜将在所述处理区域反射的可见光区的光引导至所述光谱检测部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
