[发明专利]超结金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201580044560.X | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106575666B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 迪瓦·N·巴达纳亚克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于超结MOSFET的边缘终端。根据本发明的实施例，超结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括核心超结区，所述核心超结区包括耦连至超结MOSFET的源端的多个平行的核心板。超结MOSFET还包括围绕核心超结区的终端区，所述终端区包括多个分离的浮置的终端部分，所述终端部分被配置为对核心超结区施加击穿而不对终端区施加击穿。每个终端部分具有比核心板的长度尺寸更小的长度尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种超结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：核心超结区，所述核心超结区包括耦连至所述超结MOSFET的源端的多个平行的核心板；以及终端区，所述终端区围绕所述核心超结区，所述终端区包括多个分离的浮置的终端部分，所述终端部分被配置为远离所述终端区在所述核心超结区内施加击穿，其中，所述终端部分的每一个具有比所述核心板的长度尺寸更小的长度尺寸。
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