[发明专利]使用两步温度处理来制造薄膜铁电装置的方法有效
申请号: | 201580044753.5 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN106575622B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 朴志勋;胡萨姆·N·阿尔沙里弗;伊哈卜·N·奥德赫;莫哈末·A·卡恩 | 申请(专利权)人: | 沙特基础全球技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/51;C09D127/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;王天鹏 |
地址: | 荷兰贝亨*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 描述了用于制造铁电装置的方法。一种方法包括将有机聚合物铁电层定位在两种导电材料之间以形成堆叠。该堆叠可以经受两步热处理过程。第一热处理步骤将有机聚合物铁电前体转变为具有铁电电滞特性的铁电材料,并且第二热处理步骤使铁电材料致密化以获得铁电装置。薄膜铁电装置可以包括薄膜铁电电容器、薄膜铁电晶体管或薄膜铁电二极管。 | ||
搜索关键词: | 使用 温度 处理 制造 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造薄膜铁电装置的方法,所述方法包括:(a)将有机聚合物铁电前体材料沉积到第一导电材料上,使得所述有机聚合物铁电前体材料具有第一表面和相对的第二表面,其中所述有机聚合物铁电前体材料的第一表面与所述第一导电材料接触;(b)在所述有机聚合物铁电前体材料的第二表面上沉积第二导电材料以形成堆叠,其中,所述有机聚合物铁电前体材料被至少部分地定位在所述第一导电材料和第二导电材料之间;(c)使所述堆叠经受高于所述有机聚合物铁电前体材料的熔融温度的第一温度1至60分钟,以形成具有铁电电滞特性的有机聚合物铁电材料;并且(d)使所述堆叠经受低于所述有机聚合物铁电前体材料的熔融温度的第二温度10至70分钟,以使所述有机聚合物铁电材料致密化并获得薄膜铁电装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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