[发明专利]用以实现高密度高SP3含量层的高功率脉冲磁控溅镀工艺有效

专利信息
申请号: 201580045005.9 申请日: 2015-08-14
公开(公告)号: CN106663609B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: M·W·斯托威尔;陈咏梅 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H05H1/46
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开了用于沉积纳米晶金刚石层的方法。该方法可以包括以下步骤:输送溅镀气体到基板,该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;输送能量脉冲到该溅镀气体,以产生溅镀等离子体,该溅镀等离子体具有溅镀持续时间,该能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度,该溅镀等离子体被磁场控制,该磁场小于300高斯;以及输送该溅镀等离子体到该溅镀靶材以形成离子化物种,该离子化物种在该基板上形成结晶含碳层。
搜索关键词: 用以 实现 高密度 sp3 含量 功率 脉冲 磁控溅镀 工艺
【主权项】:
一种形成含碳层的方法,包括以下步骤:输送溅镀气体到基板,所述基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,所述第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;输送能量脉冲到所述溅镀气体,以产生溅镀等离子体,所述溅镀等离子体通过能量脉冲形成,所述能量脉冲具有介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度,所述溅镀等离子体被暴露于小于300高斯的磁场;以及形成离子化物种,所述离子化物种包含从所述含碳溅镀靶材溅射的含碳材料,其中所述离子化物种在所述基板上形成结晶含碳层。
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