[发明专利]用以实现高密度高SP3含量层的高功率脉冲磁控溅镀工艺有效
申请号: | 201580045005.9 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN106663609B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | M·W·斯托威尔;陈咏梅 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H05H1/46 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本文公开了用于沉积纳米晶金刚石层的方法。该方法可以包括以下步骤:输送溅镀气体到基板,该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;输送能量脉冲到该溅镀气体,以产生溅镀等离子体,该溅镀等离子体具有溅镀持续时间,该能量脉冲具有介于1W/cm |
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搜索关键词: | 用以 实现 高密度 sp3 含量 功率 脉冲 磁控溅镀 工艺 | ||
【主权项】:
一种形成含碳层的方法,包括以下步骤:输送溅镀气体到基板,所述基板被定位在第一处理腔室的处理区域中,所述第一处理腔室具有含碳溅镀靶材;输送能量脉冲到所述溅镀气体,以产生溅镀等离子体,所述溅镀等离子体通过能量脉冲形成,所述能量脉冲具有介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度,所述溅镀等离子体被暴露于小于300高斯的磁场;以及形成离子化物种,所述离子化物种包含从所述含碳溅镀靶材溅射的含碳材料,其中所述离子化物种在所述基板上形成结晶含碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造